隨著對 GaN 半導體的需求持續增長，Infineon Technologies AG 已準備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴展 GaN 制造正在按計劃進行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準備來擴大其客戶群并鞏固其作為領先 GaN 巨頭的地位。作為電力系統的領導者，該公司掌握了所有三種相關材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率
雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業務，但行業巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領域的重大轉變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據《科創板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產可能不太適合傳統的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統的功率半導體器件結構相對簡單，不會對代工服務產生強勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通?？吹降?/li>
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOL
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOLT、TO-247和T
EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉換器和電力推進系統而設計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
麻省理工學院和其他地方的研究人員開發了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術能夠降低整個系統的溫度。研究人員使用這種
關鍵要點BM6337xS系列 配備了可監控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關斷電路，當LVIC的 T j 達到規定溫度以上時，熱關斷電路將啟動，會關斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號。在TSD已啟動的情況下，由于IGBT的 T j 已超過150°C的絕對最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監控的 T j 為LVIC芯片的 T j ，無法跟上IG
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